［本站讯］4月16日，美国国家工程院院士、香港工程科学院院士、香港科技大学教授刘纪美做客山东大学“大家讲坛”，作题为“具有高电流密度和高阈值电压的垂直型 GaN 基 MOSFET”的学术报告，畅谈氮化镓功率器件的发展历程以及新一代垂直型氮化镓功率器件研究进展。山东大学集成电路学院党委书记吴天柱出席活动。
在报告中，刘纪美院士围绕垂直型氮化镓基功率MOSFET器件，从“外延生长与制备工艺”“导通电阻优化”“击穿电压提升”等方面介绍了团队的最新研究进展，对垂直型氮化镓基功率器件的发展趋势作出展望。刘纪美院士对比介绍了水平型以及垂直型氮化镓基功率晶体管的性能特点，指出新一代垂直型氮化镓基功率MOSFET器件具有高电流密度高、高击穿电压、高阈值电压等优势。刘纪美院士介绍了目前垂直型氮化镓基功率MOSFET器件的发展挑战与技术瓶颈，指出大尺寸、低成本的异质衬底上制备的垂直型氮化镓基功率器件性能与氮化镓同质衬底上的器件性能仍存在较大差距。随后，她结合团队近期工作进展，向师生分享了改善垂直型氮化镓功率MOSFET器件导通电阻与击穿电压的相关工作。
在论坛讨论问答环节，刘纪美院士就师生提出的问题，结合科研与工程的实际案例进行了逐一解答，并勉励同学们坚持学习、勤于思考，努力成为敢想敢为、善作善成的青年科研人才。
刘纪美，美国国家工程院院士、香港工程科学院院士、美国电气和电子工程师学会会士、美国光学学会会士、香港科技大学电子及计算机工程系荣休教授兼新兴跨学科领域学部研究教授。致力于化合物半导体材料与器件研究，曾获得美国科学基金会杰出女科学家与工程师奖香港裘槎优秀科研者奖、IEEE光电学会Aron Kressel奖、尼克·何伦亚克奖、英国工程技术学会约瑟夫·约翰·汤姆逊电子学奖章、《旭茉JESSICA》杂志“成功女性奖”、IPRM奖。
“大家讲坛”创立于2003年，是由校团委主办、校院协同面向全校青年开展的高端系列学术讲座品牌，旨在通过邀请国内外学术名家大师，分享科技战略前沿和学术人生见解，推动知识共享和学科交叉融合，以深厚的学识积累、高远的科学视角、开放的交流氛围，帮助广大青年扩展科研视野，提升科研素养，加快成长为支撑高水平科技自立自强的拔尖创新人才。
