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学术预告

育晶论坛第5期:蓝宝石衬底上半极性GaN异质外延的研究进展

发布:山东大学融媒体中心 日期:2022年11月08日

为树牢师生创新意识,营造浓厚学术氛围,紧跟学术前沿,把握行业动态,集成攻关大平台与晶体材料国家重点实验室共同设立“育晶论坛”系列活动。每期论坛邀请领域内杰出专家学者开展主题讲座,欢迎各位老师、同学通过线上线下方式参会。

一、讲座题目

蓝宝石衬底上半极性GaN异质外延的研究进展

二、主讲人介绍

宋杰,中科院西安光机所研究员。在北京大学取得博士学位,之后在美国耶鲁大学从事博士后以及研究科学家工作长期开展GaN半导体材料和器件的研究工作,获得了30多项发明专利授权,在Advanced Materials, Applied Physics Review, Advanced Functional Materials, Nano Lett等期刊发表论文50余篇。研究工作主要集中在通过新颖的外延生长技术和结构设计来制备高质量的材料,以不断改进GaN基光电子器件的性能。

三、讲座内容

非极性和半极性GaN能够有效地解决III族氮化物LED中长期存在的efficiency droop和green gap问题。自从2000年起,非极性和半极性GaN就引起了材料和器件科学研究者极大的兴趣。本报告主要介绍我们在蓝宝石图形化衬底上半极性(20-21) GaN异质外延生长的研究进展。通过对GaN中层错缺陷的产生机制的深刻理解,利用晶体表面生长动力学的调控,成功消除了在蓝宝石衬底上生长的半极性GaN中的层错,实现了大尺寸无层错半极性GaN的材料制备以及相关器件的研究工作。

四、主持人

张雷副教授

五、讲座时间

2022年11月10日(周四)上午10:00

七、讲座地点

山东大学中心校区半导体研发大楼第一会议室

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【供稿单位:新一代半导体材料研究院     作者:刘莹莹    责任编辑:解欣怡 蒋晓涵】