为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，集成攻关大平台与晶体材料国家重点实验室共同设立“育晶论坛”系列活动。每期论坛邀请领域内杰出专家学者开展主题讲座。

一、讲座题目

氧化镓半导体器件

二、主讲人

龙世兵教授

三、主讲人简介

龙世兵，中国科学技术大学教授。IEEE高级会员，在国际学术期刊上发表论文100余篇，SCI他引6000余次，6篇论文入选ESI高引论文（累计引用居前1%的论文）。申请专利100余项。主持国家自然科学基金、科技部、中科院、广东省等资助科研项目20多项。参与获得2013年国家技术发明奖二等奖、2016年国家自然科学二等奖、2018年中国科学院杰出科技成就奖。

四、主讲内容

氧化镓（Ga₂O₃）是一种超宽禁带（~4.8 eV）半导体材料，其高击穿场强（~8 MV/cm）、高Baliga品质因数（~3444）、低成本熔融法单晶生长技术、及直接对应日盲紫外波段的吸收等突出优点使其在功率器件（SBD、MOSFET）及日盲紫外探测领域具有重要的应用。报告主要讲述其课题组在Ga₂O₃功率电子器件及日盲紫外探测器件的研究进展。

五、主持人

贾志泰教授

六、讲座时间

2022年10月20日（星期四）14:00

七、讲座地点

中心校区半导体研发大楼第一会议室

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