一、报告题目

功能氧化物薄膜生长及光电磁性能研究

二、报告时间

5月21日（周一）14:00

三、报告地点

山大软件园校区微电子学院一楼大厅

四、主讲人

张洪良

五、内容简介

金属氧化物半导体表现出丰富奇特的电学、光学、磁学等性能，在新型电子器件、光电催化等方面有着广阔的应用前景，一直是材料科学领域的研究热点。我们的研究工作主要采用分子束外延(MBE)和激光脉冲沉积(PLD)等方法制备氧化物半导体薄膜及异质结, 进而利用基于同步辐射的光电子能谱、吸收谱和第一性原理计算等深入理解所制备薄膜的表界面电子结构, 确定其结构与物性之间的关联，并探索这些薄膜测量在光电子器件和光电催化方面的应用。此次报告将会利用Sn掺杂透明氧化物半导体In₂O_3，Sr掺杂的钙钛矿结构LaCrO₃和Li掺杂的NiO作为例子来展示掺杂如何巨大地改变材料本身的电子结构, 并探讨这些功能材料在透明电子器件(如太阳能电池的Hole transport layer)和光电催化方面的应用，氧析出电催化等方面的潜在应用。

六、报告人简介

张洪良，厦门大学化学化工学院闽江学者特聘教授; 2003年获得山东大学光信息科学与技术专业本科学位，2008年新加坡国立大学凝聚态物理硕士，2012年获英国牛津大学无机化学博士学位。2012-2017年先后任职美国西北太平洋国家实验室博士后和英国剑桥大学材料系Herchel Smith Fellow。主要从事功能氧化物半导体薄膜生长，并利用同步辐射光电子能谱技术研究其电学、光学和催化等性质。在透明导电氧化物、钙钛矿结构氧化物、光水分解材料等基础性质研究等方面取得了一系列重要成果，迄今在Nat. Commun., Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc., Adv. Mater., 等重要学术期刊发表论文90余篇。曾获得英国牛津大学Clarendon 全奖奖学金，台湾集成电路最佳国际研究生科研奖。2015年剑桥大学Herchel Smith Research Fellowship。

七、主办单位

山东大学共青团委员会

八、 承办单位

微电子学院