［本站讯］11月16日，大连理工大学邱志勇教授受邀访问物理学院并作题为“Antiferro-spintronics”的报告。

报告中，邱志勇教授对在反铁磁自旋电子学领域取得的进展进行集中阐述。首先，他讲述了反铁磁磁矩取向对自旋波传输的有效控制，以及可以利用该性质实现自旋霍尔磁电阻信号的符号反转，由此为自旋波传输的调控指示了一个崭新的思路，使得反铁磁材料成为解决基于自旋的磁存储器低效率/高成本瓶颈的一个突破口。其次，邱志勇教授对反铁磁绝缘体超薄膜的磁有序温度的探测进行讲解，揭示了局域自旋扰动对自旋波传输的影响本质。最后，邱志勇教授就反铁磁材料体系中首次观测到的自旋波传输的导体/绝缘体相变和自旋庞磁阻效应做了详细报告。报告结束后，邱志勇教授回答了现场师生对于自旋波传输的导体/绝缘体相变以及自旋霍尔磁阻提出的系列问题。物理学院十余名教师和三十余名博士、硕士、本科生参加报告。

邱志勇教授于2004年在北京航空航天大学完成硕士课程，2007年在日本德岛大学获博士学位，先后在日本东京理科大学和东北大学进行科研工作，2017年9月起任大连理工大学材料科学与工程学院教授。邱志勇教授主要从事功能材料与自旋电子学融合领域的研究工作，近年来在Nature Materials、Nature Corm PRL ACTA Mater.等知名杂志上发表论文53篇，近五年SCI总引用800余次，他引1700余次。在日期间，主持日本文部省课题3项，参与重大课题2项。邱志勇教授依托材料开发背景，在自旋电子材料及自旋物理方向进行了长期研究，近两年以推进新一代磁存储路技术为目标，致力于反铁磁白旋电子学领域的开拓，取得了基于反铁磁材料的自旋物理及应用相关的一系列先驱性成果。