［本站讯］11月4日，台湾交通大学李佩文教授受邀访问信息科学与工程学院，并为学院师生带来了题为“A Revisit of Germanium that Reemerges as the Savior of Si Electronics and Photonics ”的通识讲座。

本次报告是对硅电子与光子学的救世主——锗元素的重新审视。首先，报告回顾了过去几十年通用电气晶体管和集成电路演化的重要历程。Ge金氧半场效晶体管的挑战包括Ge在Si上的增长、Ge通道的栅氧化完整性以及掺杂技术。随后，李佩文教授分享了最近在Ge纳米球/Si02/SiGe异质结构的单步生长方面的研究进展，并指出，自组织、门状堆叠等异质结构主要包括锗纳米球、二氧化硅和锗硅槽，精确控制并有效利用在氧、硅和锗间的浓度之间的动态平衡，可以在一个单一的氧化过程中同时产生这些异质结构。此外，李佩文教授还指出，研究过程中实现了锗纳米球通道长度(5-95纳米直径)、栅氧化层厚度(2.5-4.8纳米)以及锗纳米通道的晶体取向、化学成分和应变工程的过程控制可调谐性。这是实现Ge Mos器件支持Si纳米电学(MOSFET、非易失性存储器和单电子晶体管)和Si纳米光子学(光电探测器和光源)的关键促成因素。最后，报告还指出，对于每个晶体方向，实验中提出的高锗含量、高应力SiGe外壳具有高度的结晶度，为基于Ge的MOS器件的制造提供了一个核心“构件”，最终目标是展示先进的基于Ge的Mos纳米电子和纳米光子器件。报告结束后，李佩文教授针对现场同学提出的问题进行了详细解答。

李佩文，纽约哥伦比亚大学电子工程博士，台湾交通大学（NCTU）电子研究所教授，曾担任台湾“中央大学”特聘教授(2006 - 2015)、电机工程系系主任(2007 - 2010)、纳米科技总监(2012 - 2015)、IEEE杰出讲师，为IEEE EDS VLSI技术和教育委员会服务，曾在SNW、EDTM、SSDM等多个重要会议委员会任职。于2008年被台湾“中央通讯社”评为中国电机工程学会杰出教授(2015)、台湾十大新星(科技)。其研究方向集中在实验硅锗纳米结构和器件上，包括锗量子点单电子晶体管、光电探测器、非易失性存储器和节能/收获(光伏和热电)器件，利用硅集成技术中的自组装纳米结构。