［本站讯］11月3日，东京大学平本俊郎（Hiramoto Toshiro）教授受信息学院邀请，在青岛校区作了题为”CMOS Scaling and Integration:Present Status and Future Trend”的主题报告。

平本俊郎教授焦聚CMOS工艺发展，围绕技术节点等关键词，通过对比器件的速度和能量损耗等技术参数，为同学们介绍了CMOS领域最先进工艺的发展历程。他谈到，在过去30年的发展过程中，CMOS元器件尺度从22纳米不断进步，直到如今7纳米尺度的高度。尺度的不断减小仍在随着技术的改进而不断进行。平本俊郎教授同时介绍了权威部门发布的半导体器件的发展路线图，并与近几年来的实际发展情况作对比，为同学们展示了CMOS领域的未来。此外，平本俊郎教授还结合如今发展火热的人工智能以及物联网行业，点明这些行业的发展需要CMOS领域的新突破作为支撑，并详细论述了新的发展方向。信息学院多名教师以及博士生硕士生听取了本次报告。

平本俊郎，东京大学教授，日本应用物理协会会员，IEEE、IEICE会员，1984年在东京大学取得电子工程学士学位，并于1986年和1989年在东京大学取得硕士和博士学位。1989年加入日立公司设备开发中心。1994年加入东京大学工业科学研究所，2002年至今任教授一职。他的研究方向包含低功率CMOS设计，缩放晶体管的可变性，硅纳米线晶体管以及硅单电子晶体管等。2003年担任硅纳米电子研究会主席，并于1997、1999和2001年担任项目主席；2013年加入IEDM技术委员会，并于2015年担任主席；2016年任国际固态器件和材料会议主席。