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陈杰智教授课题组关于三维存储器的论文被微电子领域国际顶级会议 IEDM 2017 接收

发布日期:2017年10月24日 09:51 点击次数:

[本站讯]近日,山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组关于3D NAND闪存存储器可靠性物理机理的研究工作论文被微电子领域的国际顶级会议IEDM 2017 (IEDM,International Electron Devices Meeting,即“IEEE国际电子器件大会”)接收。山东大学信息科学与工程学院为论文第一完成单位,2016级博士研究生武继璇为第一作者。这是山东大学首次以第一作者和通讯作者单位在IEDM大会上发表研究进展论文,也是继北大、清华、复旦、浙大、上海交大、西安电子科大、中山大学后第八所在该会议上发表论文的内地(祖国大陆)高校。

该研究工作由陈杰智教授与中科院半导体所姜向伟教授及华东师范大学陈时友教授课题组合作,面向三维垂直架构下NAND闪存存储器中电荷扩散所带来的数据保持特性退化的可靠性问题,在原子层面对电荷存储层的各种电荷俘获缺陷进行了研究。在全面把握氢/氧元素对氮化硅电荷存储层中浅能级缺陷调制作用的基础之上,提出利用重氢钝化来抑制3D NAND闪存存储器擦写过程中氢键断裂所带来的可靠性退化问题。该研究工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金项目和国家青年千人项目等支持。

IEDM始于1955年,是全球报道半导体及电子器件领域最新的科技、设计、制造、物理及建模的主要论坛,也是世界半导体产业界各知名企业和学术机构报告其最新研究成果和技术突破的主要窗口和平台。IEDM影响力巨大, 与IEEE Symposium on VLSI Technology(即“集成电路技术国际会议”)并列为微电子器件与工艺领域中权威性最高的两个顶级会议,每年Intel、IBM、Samsung和TSMC等国际知名半导体公司都在IEDM会议上发布各自最新研究进展。

陈杰智,山东大学信息科学与工程学院教授,第十二批国家“青年千人计划”项目获得者,博士生导师。目前其课题组的主要研究领域是以纳米器件及非挥发性存储器为核心,研究方向包括纳米器件载流子输运特性、存储器可靠性物理机制、以及系统芯片指纹设计。


【作者:李岩            来自:人才办    责任编辑:思萱  】

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